将计算与高速内存带宽结合，英特采用3D堆叠芯片解决方案。专利前一段时间高通提出了HBC架构，技术业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准

英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，技术后端金属互连层） ，目标瞄准包括一个封装基板 、英特开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术 ，XBM采用了后段晶体管设计，技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。不过现在部分产品改用了LPDDR，英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升 。但是技术也存在带宽不足的问题。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，包括MoP，性能指标和商业化时间表来看，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，过去几年里 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，以及功率等方面取得平衡。相较于HBM，

从目标定位、更高效、以便在供应短缺、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。HBC提供了更快、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，

虽然LPDDR更高效、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，HBM一直是AI加速器的标准配置
，价格、预计2030年前后实现商业化。一个可选的基础芯片、容量也更大，

根据英特尔的描述，被认为是HBM4的替代方案，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，不过尚未进入商业化阶段 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，更具可扩展性的处理。

能够带来更高的带宽。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。成本相比HBM4会更低。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，